Sistema de Limpieza por Ultrasonido Seco USC

El sistema de limpieza por ultrasonido seco USC está diseñado para la eliminación precisa de partículas mediante vibración de alta frecuencia y flujo de aire controlado. Permite una limpieza estable y sin contacto de sustratos sensibles en procesos donde la integridad superficial y la precisión dimensional son críticas.

Limpieza en seco sin contacto para superficies delicadas y de precisión
Eliminación efectiva de partículas a escala micrométrica sin procesos líquidos
Sin impacto en el espesor de la película, la geometría o la estructura superficial
Menor costo operativo en comparación con métodos de limpieza húmeda

Solicitar Cotización Especificaciones Técnicas

Especificaciones Técnicas

Modelo	Ancho Efectivo (mm)	Aire de Entrada (P)		Succión (V)
Modelo	Ancho Efectivo (mm)	Presión (kPa)	Caudal (m³/h)	Presión (kPa)	Caudal (m³/h)
2UV / U2V	100	18	210	-3	230
	200	18	260	-3	280
	300	18	320	-3	350
	400	18	380	-3	420
Voltaje de Operación	380V AC
Presión de Aire de la Instalación	10–28 kPa
Distancia de la Unidad de Eliminación de Polvo a la Pieza de Trabajo	≤5 mm (recomendado 1.5 mm)
Eficiencia de Eliminación	97% para polvo de silicio de 1.6 µm; 98% para polvo de silicio de 2.6 µm
Funciones de Monitoreo	Presión de aire, temperatura, cartucho filtrante, estado del ventilador
Temperatura del Aire de Salida	<50°C
Nivel de Ruido	<85 dB
Entorno de Operación	Sala limpia por debajo de Clase 10,000; tubería de escape reservada: Ø65 mm

Descargar Folleto

Características Clave

Limpieza Sin Contacto

Elimina partículas sin contacto físico, minimizando el riesgo de daño superficial durante procesos de fabricación de precisión.
Sin Impacto en el Espesor o la Estructura

Mantiene el espesor de la película, las microestructuras y la precisión dimensional durante las operaciones de limpieza.
Reducción de Pérdida de Material

Al evitar el contacto abrasivo y la erosión por líquidos, el proceso minimiza la pérdida de material y favorece un rendimiento estable en la fabricación de precisión.
Menor Costo Operativo

El proceso seco elimina el tratamiento de agua, el consumo de químicos y los pasos de secado, ayudando a reducir los costos operativos y de mantenimiento generales.

Aplicación

Plasma Treatment for Semiconductor

El procesamiento con plasma permite la preparación de superficies de precisión en la fabricación de semiconductores y electrónica, incluyendo unión de cables, encapsulado de chips, encapsulación y ensamblaje de PCB.

Más Información

Proceso de Limpieza por Plasma

Generación de Plasma

El gas de proceso se energiza y se convierte en un plasma reactivo que contiene iones, electrones y radicales.
Interacción Plasma–Superficie

Las especies de plasma energéticas interactúan con las moléculas de la superficie y los contaminantes en condiciones de vacío controladas.
Reacción Química

Los iones y radicales reactivos descomponen los residuos orgánicos y los contaminantes superficiales mediante reacciones químicas controladas.
Volatilización

Los productos de la reacción se convierten en compuestos volátiles y pasan a la fase gaseosa.
Eliminación de la Superficie

Los subproductos gaseosos se desorben de la superficie y se evacuan, dejando una superficie de material limpia y activada.