Grabador de Plasma Acoplado Inductivamente ICP

Sistema de grabado ICP de alta densidad diseñado para el grabado seco de precisión de óxidos, nitruros, metales y materiales semiconductores compuestos. La arquitectura de doble cámara reduce la exposición atmosférica mientras admite procesos de fabricación de semiconductores estables y repetibles.

Plasma de alta densidad para un grabado rápido y uniforme.
Cámara de carga y reacción para control de contaminación.
Compatible con Si, SiO2, III-V y metales.

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Especificaciones Técnicas

Modelo	FR-G200 (ICP)
Tipo de Proceso	Grabado seco por Plasma Acoplado Inductivamente (ICP)
Configuración de la Cámara	Cámara de prevacío (carga) y de reacción (proceso)
Fuentes de Alimentación	RF en el electrodo inferior y generador RF inductivo para excitación del plasma
Sistema de Vacío	Bombas y controles de vacío integrados para bombeo rápido y presión base estable
Control de Gases	Suministro de gases de proceso multicanal con control de flujo másico
Sistema de Refrigeración	Enfriador integrado para control de temperatura de la cámara y componentes
Control de Relleno / He	Control de helio en la parte posterior para gestión térmica de la oblea
Software y Control	Software de recetas de proceso con interfaz de operador y soporte de automatización
Materiales Soportados	Si, SiO₂, SiC, poli-Si, compuestos III-V, metales y otros materiales semiconductores comunes

Características Clave

Generación de Plasma de Alta Densidad

La fuente ICP genera plasma de alta densidad para un grabado anisótropo rápido con alta selectividad en películas dieléctricas, semiconductoras y metálicas, manteniendo la uniformidad en toda la superficie de la oblea.
Control de Contaminación de Doble Cámara

Las cámaras separadas de prevacío (load-lock) y de reacción minimizan la exposición atmosférica, reducen la contaminación por partículas y mejoran el rendimiento al permitir la transferencia de obleas sin interrumpir el entorno principal del proceso.
Suministro preciso de gas de proceso

El suministro de gas multicanal con control de flujo másico proporciona mezclas de gas de proceso estables y repetibles para químicas de plasma complejas, asegurando perfiles de grabado consistentes y estabilidad del proceso.
Gestión térmica integrada

El control de helio en la parte posterior combinado con enfriamiento dedicado mantiene la temperatura de la oblea durante pasos de grabado agresivos, asegurando el control dimensional y reduciendo la desviación del proceso inducida térmicamente.
Sistema robusto de vacío y bombeo

El subsistema de vacío de alto rendimiento proporciona un bombeo rápido y un control estable de la presión del proceso, crítico para condiciones de plasma repetibles y tasas de grabado consistentes en lotes de producción.
Interfaz de software fácil de usar

El software de control centrado en el operador admite la gestión de recetas, monitoreo de procesos e interfaces de automatización para simplificar la operación, reducir el tiempo de configuración y permitir flujos de trabajo de fabricación seguros y repetibles.

Proceso de limpieza con plasma

Generación de plasma

El gas de proceso se energiza y se convierte en un plasma reactivo que contiene iones, electrones y radicales.
Interacción plasma–superficie

Las especies de plasma energético interactúan con las moléculas de la superficie y los contaminantes bajo condiciones de vacío controladas.
Reacción Química

Los iones reactivos y radicales descomponen los residuos orgánicos y los contaminantes de la superficie mediante reacciones químicas controladas.
Volatilización

Los productos de la reacción se convierten en compuestos volátiles y entran en la fase gaseosa.
Eliminación de la Superficie

Los subproductos gaseosos se desorben de la superficie y se evacúan, dejando una superficie de material limpia y activada.